Las memorias ademas cuentan con varios factores que hacen que la memoria sea de mejor o peor calidad; entre ellos están el tiempo de acceso, el buffer de datos, el tiempo de refresco y la paridad:
TIEMPO DE ACCESO:
Este es el intervalo de tiempo que transcurre desde el instante en que solicitamos datos de un dispositivo de almacenamiento y el momento en que se completa la acción. Ademas este tambien es el intervalo de tiempo que transcurre entre el momento en que enviamos datos a un dispositivo de almacenamiento y el momento en que se termina la acción.
PARIDAD:
Es la propiedad que tienen algunas memorias RAM para detectar y corregir un error. Para ellos se añade en origen un bit extra llamado bit de paridad a los n bits que forman el carácter original.
Este bit de paridad se determina de forma que el número total de bits 1 a transmitir sea par (código de paridad par) o impar (código de paridad impar).
Código de paridad par: El bit de paridad será un 0 si el número total de1 a transmitir es par, y un 1 si el número total de 1 es impar.
Código de paridad impar: El bit de paridad será un 1 si el número total de1 a transmitir es par y un 0 si el número total de1 es impar.
BUFFER DE DATOS:
Este es un espacio de memoria,en el que se guarda la informacion para que cuando un programa o dispositivo solicite esa informacion no se quede en algun momento sin ellos. Entre algunos ejemplos podemos encontrar:
- En Audio o vídeo en streaming por Internet. Se tiene un buffer para que haya menos posibilidades de que se corte la reproducción cuando se reduzca o corte el ancho de banda.
- Un buffer adecuado permite que en el salto entre dos canciones no haya una pausa molesta.
TIEMPO DE REFRESCO:
También es muy conocido como "Latencia", es la suma de retardos temporales en una red. este retardo es producido por la demora en la propagación y transmisión de paquetes dentro de la red. la latencia la puede generar principalmente el tamaño del buffer de datos del Pc y el tamaño de los datos que vamos a transmitir.
VOLÁTIL Y ALEATORIA:
La memoria RAM es volátil ya que al momento de apagar el Pc,la información que contenía esta se borra. La memoria es como un acceso rápido a la información que estamos utilizando en un proceso. Ademas, la memoria RAM es aleatoria por que toda la información que guarda esta en desorden a diferencia de el disco duro.
TIPOS DE MEMORIAS:
MEMORIAS ASÍNCRONAS:
DRAM: Es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco.Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta.
FMP-RAM: Memoria de modo paginado, es el diseño mas común de los chips de memoria RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se hace mediante coordenadas, fila y columna. Actualmente se encuentran memorias de este tipo con velocidad de acceso de entre 60 y 70 nanosegundos.
EDO-RAM: Extendido de datos de salida. Entro al mercado en 1995 y con tiempos de acceso mucho mas rápidos que los de FPM (Entre los 30 y 40 nanosegundos). Ademas, este tipo de memoria es capaz de enviar direcciones continuas pero direcciona la columna que va a utilizar mientras que se leen los datos de la columna anterios. Esto significo la eliminación de los estados de espera.
BEDO-RAM: Es la continuación de la EDO-RAM y le hace competencia a la SDRAM, se dio a conocer en1997 pero nunca salio al mercado. Este tipo de memoria utilizaba generadores internos de direcciones y accedía a mas de una posición de memoria en cada ciclo de reloj,lo que significaba un aumento en el desempeño de un 50% mejor que su versión anterior.
MEMORIAS SÍNCRONAS:
SDR SDRAM: Sincrono de memoria dinámica de acceso aleatorio. Tradicionalmente, la memoria dinámica de acceso aleatorio DRAM tiene una interfaz asíncrona, lo que significa que el cambio de estado de la memoria tarda un cierto tiempo, dado por las características de la memoria, desde que cambian sus entradas.
PC100: funciona a una frecuencia de reloj de 100 MHz, en un bits de ancho de autobús 64, con un voltaje de 3,3 V. PC 100 está disponible en 168-pin DIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma . PC100 es compatible con PC66 .
DDR SDRAM: ESon modulos de memoria RAM compuestos por memorias sincronas que podemos encontrar en el mercado con encapsulado DIMM, lo que permite la transferencia de datos por dos canales diferentes al mismo tiempo. Con datos que se transfieren 64 bits a la vez, DDR SDRAM da una velocidad de transferencia de (bus de memoria de frecuencia de reloj) × 2 (de tipo doble) x 64 (número de bits transferidos) / 8 (número de bits / byte). Así, con una frecuencia de bus de 100 MHz, memoria SDRAM DDR ofrece una velocidad de transferencia máxima de 1600 MB / s . En la siguiente tabla podremos observar algunas de las caracteristicas de las memorias DDR SDRAM:
Nombre estándar | Velocidad del reloj | Tiempo entre señales | Velocidad del reloj de E/S | Datos transferidos por segundo | Nombre del módulo | Máxima capacidad de transferencia |
DDR-200 | 100 MHz | 10 ns | 100 MHz | 200 millones | PC1600 | 1600 MB/s |
DDR-266 | 133 MHz | 7,5 ns | 133 MHz | 266 millones | PC2100 | 2133 MB/s |
DDR-300 | 150 MHz | 150 MHz | 300 millones | PC2400 | 2400 MB/s | |
DDR-333 | 166 MHz | 6 ns | 166 MHz | 333 millones | PC2700 | 2667 MB/s |
DDR-366 | 183 MHz | 5,5 ns | 183 MHz | 366 millones | PC3000 | 2933 MB/s |
DDR-400 | 200 MHz | 5 ns | 200 MHz | 400 millones | PC3200 | 3200 MB/s |
DDR-433 | 216 MHz | 4,6 ns | 216 MHz | 433 Millones | PC3500 | 3500 MB/s |
DDR-466 | 233 MHz | 4,2 ns | 233 MHz | 466 millones | PC3700 | 3700 MB/s |
DDR-500 | 250 MHz | 4 ns | 250 MHz | 500 millones | PC4000 | 4000 MB/s |
DDR-533 | 266 MHz | 3,7 ns | 266 MHz | 533 millones | PC4300 | 4264 MB/s |
DDR2-400 | 100 MHz | 10 ns | 200 MHz | 400 millones | PC2-3200 | 3200 MB/s |
DDR2-533 | 133 MHz | 7,5 ns | 266 MHz | 533 millones | PC2-4300 | 4264 MB/s |
DDR2-600 | 150 MHz | 6,7 ns | 300 MHz | 600 millones | PC2-4800 | 4800 MB/s |
DDR2-667 | 166 MHz | 6 ns | 333 MHz | 667 millones | PC2-5300 | 5336 MB/s |
DDR2-800 | 200 MHz | 5 ns | 400 MHz | 800 millones | PC2-6400 | 6400 MB/s |
DDR2-1000 | 250 MHz | 3,75 ns | 500 MHz | 1000 millones | PC2-8000 | 8000 MB/s |
DDR2-1066 | 266 MHz | 3,75 ns | 533 MHz | 1066 millones | PC2-8500 | 8530 MB/s |
DDR2-1150 | 286 MHz | 3,5 ns | 575 MHz | 1150 millones | PC2-9200 | 9200 MB/s |
DDR2-1200 | 300 MHz | 3,3 ns | 600 MHz | 1200 millones | PC2-9600 | 9600 MB/s |
DDR3-1066 | 133 MHz | 7,5 ns | 533 MHz | 1066 millones | PC3-8500 | 8530 MB/s |
DDR3-1200 | 150 MHz | 6,7 ns | 600 MHz | 1200 millones | PC3-9600 | 9600 MB/s |
DDR3-1333 | 166 MHz | 6 ns | 667 MHz | 1333 millones | PC3-10667 | 10664 MB/s |
DDR3-1375 | 170 MHz | 5,9 ns | 688 MHz | 1375 millones | PC3-11000 | 11000 MB/s |
DDR3-1466 | 183 MHz | 5,5 ns | 733 MHz | 1466 millones | PC3-11700 | 11700 MB/s |
DDR3-1600 | 200 MHz | 5 ns | 800 MHz | 1600 millones | PC3-12800 | 12800 MB/s |
DDR3-1866 | 233 MHz | 4,3 ns | 933 MHz | 1866 millones | PC3-14900 | 14930 MB/s |
DDR3-2000 | 250 MHz | 4 ns | 1000 MHz | 2000 millones | PC3-16000 | 16000 MB/s |
RDRAM: El primer PC de placas base con soporte para RDRAM debutó en 1999. Apoyaron PC-800 RDRAM, que operaba a 400 MHz y entregado 1.600 MB / s de ancho de banda en un bus de 16 bits. Se empaqueta como un 184-pin RIMM (Rambus en línea del módulo de memoria) factor de forma , similar a un DIMM (módulo de memoria en línea dual).Por razones de marketing de la velocidad de reloj física se ha multiplicado por dos (debido a la operación DDR), por lo tanto, los 400 MHz estándar fue nombrado Rambus PC-800.
XDR DRAM:tipo de datos extremos de memoria dinámica de acceso aleatorios un alto rendimiento de memoria RAM interfaz y sucesor del Rambus RDRAM se basa en, en competencia con el rivalSDRAM DDR2 y GDDR4 tecnología.
- Frecuencia de reloj a 400 MHz inicial. 600 MHz, 800 MHz y 1066 MHz, previstas para el futuro.
- Octal Data Rate (ODR): Ocho bits por ciclo de reloj por carril.
- Cada chip proporciona 8, 16, o 32 carriles programable, que proporciona hasta 204,8 Gbit / s (25,6 GB / s)
XDR2 DRAM: Es un tipo de memoria de acceso aleatorio dinámico que se ofrece por Rambus . Se anunció el 07 de julio 2005 y la especificación de que fue lanzado el 26 de marzo de 2008. Rambus ha diseñado XDR2 como una evolución de, y el sucesor, XDR DRAM . DRAM XDR2 se destina para el uso en gama alta de tarjetas gráficas y equipos de red.
DRDRAM: Es un tipo síncrono de memoria RAM dinámica , diseñado por el Rambus Corporation.En comparación con otros estándares contemporáneos, Rambus muestra un ligero aumento de la latencia , la producción de calor, la fabricación de la complejidad y costo. Algunos criticaron RDRAM de morir de mayor tamaño, que se requiere a la casa de la interfaz de agregado y los resultados a un precio de prima de 20.10 por ciento en las densidades de 16 megabits, y añade sobre una sanción del 5 por ciento en el 64M.
SLDRAM: Se preciso un mayor rendimiento y compitió contra RDRAM. Se desarrolló durante la década de 1990 por el Consorcio SLDRAM, que consistía en cerca de 20 fabricantes importantes de la industria informática. Es un estándar abierto y no requiere derechos de licencia. Las especificaciones pidió un bus de 64 bits funcionando a una frecuencia de reloj de 200 MHz.
SRAM: es un tipo de semiconductor de memoria donde la palabra estática indica que, a diferencia de dinámica de memoria RAM (DRAM) , no tiene por qué ser periódicamente renovado , como SRAM utiliza biestable circuito de enclavamiento para almacenar cada bit.
VRAM: Es uno de dos puertos variante de RAM dinámica (DRAM), que una vez fue utilizado para almacenar el uso de este dispositivo en algunos adaptadores de gráficos .
El primer uso comercial de VRAM estaba en una resolución de adaptador de gráficos de alto presentado en 1986 por IBM para el PC / RT sistema, que establece un nuevo estándar para pantallas de gráficos.
El primer uso comercial de VRAM estaba en una resolución de adaptador de gráficos de alto presentado en 1986 por IBM para el PC / RT sistema, que establece un nuevo estándar para pantallas de gráficos.
SGRAM: Es una forma especializada de SDRAM para los adaptadores gráficos.Añade funciones tales como encubrimiento bits (por escrito a un plano poco especificado sin afectar a las demás) y el bloque de escribir (llenar un bloque de memoria con un solo color). Sin embargo, puede abrir dos páginas de memoria a la vez, que simula el puerto de la naturaleza dual de otras tecnologías de memoria RAM de vídeo.
WRAM: Es una variante de VRAM que se ha utilizado una vez en adaptadores de gráficos, tales como los Objetivos de Matrox y 3D ATI Rage Pro . WRAM fue diseñado para funcionar mejor y cuestan menos de VRAM. WRAM ofrece hasta 25% más de ancho de banda de memoria VRAM y acelerado de uso común las operaciones de gráficos, tales como el dibujo y el bloque de texto llena.
TIPOS DE MEMORIA:
DIPP: Las memorias DIPP se presentan siempre en zocalos. Estos nunca estan soldados y estan ordenados formando grupos y ademas alineados en el mismo sentido, todos los chips son del mismo tipo.
SIPP: Este tipo de memorias se encuentran soldadas a un circuito impreso que hace contacto con la motherboard en una sola linea de pines.
SIMM: Este tipo de modulo de memoria ya descontinuado de 30 y 72 contactos. El de 30 contactos se debia insertar en modulos pares (2,4, o 8) con capacidades de 4MB, 8 MB, o 16 MB.
DIMM: Tiene 168 contactos en cada lado. Almacena palabras binarias de 64 bits, por cadad direccion de almacenamiento mejora su velocidad de acceso al alternar los ciclos de acceso a los bancos de memoria. Es muy utilizado por las memorias SDR, DDR, SDRAM.
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