sábado, 5 de febrero de 2011

MEMORIA RAM

La memoria RAM "Random Acces Memory" o memoria de acceso aleatorio es un tipo de memoria que utilizan los Pc para guardar los datos y programas que necesitan tener de manera rápida. Las memorias RAM son memorias volátiles y no guardan los datos que han utilizado, estos datos se borran al momento de apagar el equipo. Los datos no solo se borran cuando apagamos el PC, sino que ademas se borran cuando dejamos de utilizar la aplicación que los necesitaba.


Las memorias ademas cuentan con varios factores que hacen que la memoria sea de mejor o peor calidad; entre ellos están el tiempo de acceso, el buffer de datos, el tiempo de refresco y la paridad:


TIEMPO DE ACCESO: 


Este es el intervalo de tiempo que transcurre desde el instante en que solicitamos datos de un dispositivo de almacenamiento y el momento en que se completa la acción. Ademas este tambien es el intervalo de tiempo que transcurre entre el momento en que enviamos datos a un dispositivo de almacenamiento y el momento en que se termina la acción.


PARIDAD: 


Es la propiedad que tienen algunas memorias RAM para detectar y corregir un error. Para ellos se añade en origen un bit extra llamado bit de paridad a los n bits que forman el carácter original.

Este bit de paridad se determina de forma que el número total de bits 1 a transmitir sea par (código de paridad par) o impar (código de paridad impar).



Código de paridad par: El bit de paridad será un 0 si el número total de1 a transmitir es par, y un 1 si el número total de 1 es impar.


Código de paridad impar: El bit de paridad será un 1 si el número total de1 a transmitir es par y un 0 si el número total de1 es impar.




BUFFER DE DATOS:


Este es un espacio de memoria,en el que se guarda la informacion para que cuando un programa o dispositivo solicite esa informacion no se quede en algun momento sin  ellos. Entre algunos ejemplos podemos encontrar:




  • En Audio o vídeo en streaming por Internet. Se tiene un buffer para que haya menos posibilidades de que se corte la reproducción cuando se reduzca o corte el ancho de banda. 
  • Un buffer adecuado permite que en el salto entre dos canciones no haya una pausa molesta. 


TIEMPO DE REFRESCO:


También es muy conocido como "Latencia", es la suma de retardos temporales en una red. este retardo es producido por la demora en la propagación y transmisión de paquetes dentro de la red. la latencia la puede generar principalmente el tamaño del buffer de datos del Pc y el tamaño de los datos que vamos a transmitir.



VOLÁTIL Y ALEATORIA:


La memoria RAM es volátil ya que al momento de apagar el Pc,la información que contenía esta se borra. La memoria es como un acceso rápido a la información que estamos utilizando en un proceso. Ademas, la memoria RAM es aleatoria por que toda la información que guarda esta en desorden a diferencia de el disco duro.



TIPOS DE MEMORIAS:


MEMORIAS ASÍNCRONAS:


DRAM: Es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco.Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta.



FMP-RAM: Memoria de modo paginado, es el diseño mas común de los chips de memoria RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se hace mediante coordenadas, fila y columna. Actualmente se encuentran memorias de este tipo con velocidad de acceso de entre 60 y 70 nanosegundos.



EDO-RAM: Extendido de datos de salida. Entro al mercado en 1995 y con tiempos de acceso mucho mas rápidos que los de FPM (Entre los 30 y 40 nanosegundos). Ademas, este tipo de memoria es capaz de enviar direcciones continuas pero direcciona la columna que va a utilizar mientras que se leen los datos de la columna anterios. Esto significo la eliminación de los estados de espera.



BEDO-RAM: Es la continuación de la EDO-RAM y le hace competencia a la SDRAM, se dio a conocer en1997 pero nunca salio al mercado. Este tipo de memoria utilizaba generadores internos de direcciones y accedía a mas de una posición de memoria en cada ciclo de reloj,lo que significaba un aumento en el desempeño de un 50% mejor que su versión anterior.






MEMORIAS SÍNCRONAS:




SDR SDRAM: Sincrono de memoria dinámica de acceso aleatorio. Tradicionalmente, la memoria dinámica de acceso aleatorio DRAM tiene una interfaz asíncrona, lo que significa que el cambio de estado de la memoria tarda un cierto tiempo, dado por las características de la memoria, desde que cambian sus entradas.




PC66: Es DRAM síncrona que funciona a una frecuencia de reloj de 66,66 MHz, en un bus de 64 bits, a una tensión de 3,3 V. 66 PC está disponible en 168 pines DIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma. El ancho de banda teórico es 533 MB / s.




PC100: funciona a una frecuencia de reloj de 100 MHz, en un bits de ancho de autobús 64, con un voltaje de 3,3 V. PC 100 está disponible en 168-pin DIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma . PC100 es compatible con PC66 .





PC133: funciona a una frecuencia de reloj de 133 MHz, en un bits de ancho de autobús 64, con un voltaje de 3,3 V. PC 133 está disponible en 168 pines DIMM y 144 pines SO-DIMM de factores de forma. PC133 SDRAM fue el último estándar y más rápido cada vez aprobado por el JEDEC, y ofrece un ancho de banda de 1066 MB por segundo ([133,33 MHz * 64 / 8] = 1066 MB / s). PC133 es compatible con PC100 y PC66 .


DDR SDRAM: ESon modulos de memoria RAM compuestos por memorias sincronas que podemos encontrar en el mercado con encapsulado DIMM,  lo que permite la transferencia de datos por dos canales diferentes al mismo tiempo. Con datos que se transfieren 64 bits a la vez, DDR SDRAM da una velocidad de transferencia de (bus de memoria de frecuencia de reloj) × 2 (de tipo doble) x 64 (número de bits transferidos) / 8 (número de bits / byte). Así, con una frecuencia de bus de 100 MHz, memoria SDRAM DDR ofrece una velocidad de transferencia máxima de 1600 MB / s . En la siguiente tabla podremos observar algunas de las caracteristicas de las memorias DDR SDRAM:


Nombre estándar
Velocidad del reloj
Tiempo entre señales
Velocidad del reloj de E/S
Datos transferidos por segundo
Nombre del módulo
Máxima capacidad de transferencia
DDR-200
100 MHz
10 ns
100 MHz
200 millones
PC1600
1600 MB/s
DDR-266
133 MHz
7,5 ns
133 MHz
266 millones
PC2100
2133 MB/s
DDR-300
150 MHz

150 MHz
300 millones
PC2400
2400 MB/s
DDR-333
166 MHz
6 ns
166 MHz
333 millones
PC2700
2667 MB/s
DDR-366
183 MHz
5,5 ns
183 MHz
366 millones
PC3000
2933 MB/s
DDR-400
200 MHz
5 ns
200 MHz
400 millones
PC3200
3200 MB/s
DDR-433
216 MHz
4,6 ns
216 MHz
433 Millones
PC3500
3500 MB/s
DDR-466
233 MHz
4,2 ns
233 MHz
466 millones
PC3700
3700 MB/s
DDR-500
250 MHz
4 ns
250 MHz
500 millones
PC4000
4000 MB/s
DDR-533
266 MHz
3,7 ns
266 MHz
533 millones
PC4300
4264 MB/s
DDR2-400
100 MHz
10 ns
200 MHz
400 millones
PC2-3200
3200 MB/s
DDR2-533
133 MHz
7,5 ns
266 MHz
533 millones
PC2-4300
4264 MB/s
DDR2-600
150 MHz
6,7 ns
300 MHz
600 millones
PC2-4800
4800 MB/s
DDR2-667
166 MHz
6 ns
333 MHz
667 millones
PC2-5300
5336 MB/s
DDR2-800
200 MHz
5 ns
400 MHz
800 millones
PC2-6400
6400 MB/s
DDR2-1000
250 MHz
3,75 ns
500 MHz
1000 millones
PC2-8000
8000 MB/s
DDR2-1066
266 MHz
3,75 ns
533 MHz
1066 millones
PC2-8500
8530 MB/s
DDR2-1150
286 MHz
3,5 ns
575 MHz
1150 millones
PC2-9200
9200 MB/s
DDR2-1200
300 MHz
3,3 ns
600 MHz
1200 millones
PC2-9600
9600 MB/s
DDR3-1066
133 MHz
7,5 ns
533 MHz
1066 millones
PC3-8500
8530 MB/s
DDR3-1200
150 MHz
6,7 ns
600 MHz
1200 millones
PC3-9600
9600 MB/s
DDR3-1333
166 MHz
6 ns
667 MHz
1333 millones
PC3-10667
10664 MB/s
DDR3-1375
170 MHz
5,9 ns
688 MHz
1375 millones
PC3-11000
11000 MB/s
DDR3-1466
183 MHz
5,5 ns
733 MHz
1466 millones
PC3-11700
11700 MB/s
DDR3-1600
200 MHz
5 ns
800 MHz
1600 millones
PC3-12800
12800 MB/s
DDR3-1866
233 MHz
4,3 ns
933 MHz
1866 millones
PC3-14900
14930 MB/s
DDR3-2000
250 MHz
4 ns
1000 MHz
2000 millones
PC3-16000
16000 MB/s



RDRAM: El primer PC de placas base con soporte para RDRAM debutó en 1999. Apoyaron PC-800 RDRAM, que operaba a 400 MHz y entregado 1.600 MB / s de ancho de banda en un bus de 16 bits. Se empaqueta como un 184-pin RIMM (Rambus en línea del módulo de memoria) factor de forma , similar a un DIMM (módulo de memoria en línea dual).Por razones de marketing de la velocidad de reloj física se ha multiplicado por dos (debido a la operación DDR), por lo tanto, los 400 MHz estándar fue nombrado Rambus PC-800.




XDR DRAM:
tipo de datos extremos de memoria dinámica de acceso aleatorios un alto rendimiento de memoria RAM interfaz y sucesor del Rambus RDRAM se basa en, en competencia con el rivalSDRAM DDR2 y GDDR4 tecnología.


  • Frecuencia de reloj a 400 MHz inicial. 600 MHz, 800 MHz y 1066 MHz, previstas para el futuro.
  • Octal Data Rate (ODR): Ocho bits por ciclo de reloj por carril.
  • Cada chip proporciona 8, 16, o 32 carriles programable, que proporciona hasta 204,8 Gbit / s (25,6 GB / s)

XDR2 DRAM: Es un tipo de memoria de acceso aleatorio dinámico que se ofrece por Rambus . Se anunció el 07 de julio 2005 y la especificación de que fue lanzado el 26 de marzo de 2008. Rambus ha diseñado XDR2 como una evolución de, y el sucesor, XDR DRAM . DRAM XDR2 se destina para el uso en gama alta de tarjetas gráficas y equipos de red. 




DRDRAM: Es un tipo síncrono de memoria RAM dinámica , diseñado por el Rambus Corporation.En comparación con otros estándares contemporáneos, Rambus muestra un ligero aumento de la latencia , la producción de calor, la fabricación de la complejidad y costo. Algunos criticaron RDRAM de morir de mayor tamaño, que se requiere a la casa de la interfaz de agregado y los resultados a un precio de prima de 20.10 por ciento en las densidades de 16 megabits, y añade sobre una sanción del 5 por ciento en el 64M.



SLDRAM:  Se preciso un mayor rendimiento y compitió contra RDRAM. Se desarrolló durante la década de 1990 por el Consorcio SLDRAM, que consistía en cerca de 20 fabricantes importantes de la industria informática. Es un estándar abierto y no requiere derechos de licencia. Las especificaciones pidió un bus de 64 bits funcionando a una frecuencia de reloj de 200 MHz.



SRAM: es un tipo de semiconductor de memoria donde la palabra estática indica que, a diferencia de dinámica de memoria RAM (DRAM) , no tiene por qué ser periódicamente renovado , como SRAM utiliza biestable circuito de enclavamiento 
para almacenar cada bit.




EDRAM:  un condensador con sede en la memoria de acceso aleatorio dinámico integrado en la misma morir como un ASIC o procesador .El coste por bit es mayor que el de los chips DRAM solo, de pie, pero en muchas aplicaciones, las ventajas de rendimiento de la colocación de la eDRAM en el mismo chip que el procesador supera la desventaja de costes en comparación con una memoria externa.



VRAM: Es uno de dos puertos variante de RAM dinámica (DRAM), que una vez fue utilizado para almacenar el uso de este dispositivo en algunos adaptadores de gráficos .

El primer uso comercial de VRAM estaba en una resolución de adaptador de gráficos de alto presentado en 1986 por IBM para el PC / RT sistema, que establece un nuevo estándar para pantallas de gráficos.

File:SEC VRAM.jpg


SGRAM: Es una forma especializada de SDRAM para los adaptadores gráficos.Añade funciones tales como encubrimiento bits (por escrito a un plano poco especificado sin afectar a las demás) y el bloque de escribir (llenar un bloque de memoria con un solo color). Sin embargo, puede abrir dos páginas de memoria a la vez, que simula el puerto de la naturaleza dual de otras tecnologías de memoria RAM de vídeo.




WRAM: Es una variante de VRAM que se ha utilizado una vez en adaptadores de gráficos, tales como los Objetivos de Matrox y 3D ATI Rage Pro . WRAM fue diseñado para funcionar mejor y cuestan menos de VRAM. WRAM ofrece hasta 25% más de ancho de banda de memoria VRAM y acelerado de uso común las operaciones de gráficos, tales como el dibujo y el bloque de texto llena.


TIPOS DE MEMORIA:



DIPP: Las memorias DIPP se presentan siempre en zocalos. Estos nunca estan soldados y estan ordenados formando grupos y ademas alineados en el mismo sentido, todos los chips son del mismo tipo.



SIPP: Este tipo de memorias se encuentran soldadas a un circuito impreso que hace contacto con la motherboard en una sola linea de pines.



SIMM: Este tipo de modulo de memoria ya descontinuado de 30 y 72 contactos. El de 30 contactos se debia insertar en modulos pares (2,4, o 8) con capacidades de 4MB, 8 MB, o 16 MB.



DIMM: Tiene 168 contactos en cada lado. Almacena palabras binarias de 64 bits, por cadad direccion de almacenamiento mejora su velocidad de acceso al alternar los ciclos de acceso a los bancos de memoria. Es muy utilizado por las memorias SDR, DDR, SDRAM.














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